ONSEMI

Транзистор ECH8315-TL-H

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.5W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	ECH8315-TL-H
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-7.5A
Pulsed drain current	-40A
Power dissipation	1.5W
Корпус	ECH8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	25mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	18nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -40A; 1.5W; ECH8

Документация

Документы пока не предоставлены.