Антава

ONSEMI

Транзистор ECH8310-TL-H

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-9 A
Pulsed drain current
-60 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяECH8310-TL-H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-9 A
Pulsed drain current-60 A
Power dissipation1.5 W
КорпусECH8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -60A; 1.5W; ECH8

Документация

Документы пока не предоставлены.