Антава

ONSEMI

Транзистор ECH8308-TL-H

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-10 A
Pulsed drain current
-40 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяECH8308-TL-H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-10 A
Pulsed drain current-40 A
Power dissipation1.6 W
КорпусECH8
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance12.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -40A; 1.6W; ECH8

Документация

Документы пока не предоставлены.