ONSEMI
Транзистор DTC114EET1G
- Type of transistor
- NPN
- Polarisation
- bipolar
- Kind of transistor
- BRT
- Collector-emitter voltage
- 50 V
- Collector current
- 0.1 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.2/0.3 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 162 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%31,86 ₽
Сумма · с НДС 22%31,86 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 31,86 ₽ | |
| от 10 | 19,12 ₽ | |
| от 100 | 10,89 ₽ | |
| от 200 | 9,33 ₽ | |
| от 500 | 7,70 ₽ | |
| от 1000 | 6,77 ₽ | |
| от 1500 | 6,28 ₽ | |
| от 2000 | 5,98 ₽ | |
| от 3000 | 5,60 ₽ | |
| от 6000 | 5,06 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DTC114EET1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | NPN |
| Polarisation | bipolar |
| Kind of transistor | BRT |
| Collector-emitter voltage | 50 V |
| Collector current | 0.1 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.2/0.3 W |
| Корпус | SOT416 |
| Current gain | 35...60 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Base resistor | 10 kΩ |
| Base-emitter resistor | 10 kΩ |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.