IXYS
Диод DNA30E2200FE
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 2.2 kV
- Load current
- 30 A
- Semiconductor structure
- single diode
- Features of semiconductor devices
- high voltage
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 226 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%2 258,02 ₽
Сумма · с НДС 22%2 258,02 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 258,02 ₽ | |
| от 3 | 2 044,86 ₽ | |
| от 10 | 1 622,31 ₽ | |
| от 25 | 1 297,84 ₽ | |
| от 50 | 1 228,05 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DNA30E2200FE |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 2.2 kV |
| Load current | 30 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Max. forward impulse current | 370 A |
| Корпус | ISOPLUS i4-pac™ x024e |
| Kind of package | tube |
| Max. forward voltage | 1.22 V |
| Power dissipation | 110 W |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; Ifsm: 370A; tube; Ufmax: 1.22V
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.