Антава

IXYS

Диод DNA30E2200FE

DNA30E2200FE
Type of diode
rectifying
Монтаж
THT — в отверстия
Max. off-state voltage
2.2kV
Load current
30A
Semiconductor structure
single diode
Features of semiconductor devices
high voltage
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDNA30E2200FE
ПроизводительIXYS
Type of dioderectifying
МонтажTHT — в отверстия
Max. off-state voltage2.2kV
Load current30A
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Max. forward impulse current370A
КорпусISOPLUS i4-pac™ x024e
Kind of packagetube
Max. forward voltage1.22V
Power dissipation110W
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; Ifsm: 370A; tube; Ufmax: 1.22V

Документация

Документы пока не предоставлены.