Антава

MICROCHIP

Транзистор DN3135N8-G

DN3135N8-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
350 V
Drain current
135 mA
Pulsed drain current
0.3 A
Power dissipation
1.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDN3135N8-G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage350 V
Drain current135 mA
Pulsed drain current0.3 A
Power dissipation1.3 W
КорпусSOT89-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance35 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channeldepletion
Manufacturer standard package2000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 135mA; Idm: 0.3A; 1.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.