Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMW2013UFDEQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
20 V
Drain current
10.5 A
Корпус
U-DFN2020-6
Gate-source voltage
±8 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 10 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%50,80 ₽

Сумма · с НДС 22%508 000,00 ₽

От 10000 шт. · шаг 10000

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1000050,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMW2013UFDEQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage20 V
Drain current10.5 A
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±8 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52.6nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 20V; 10.5A; U-DFN2020-6

Документация

Документы пока не предоставлены.