Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH8030LPDWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
113.5 A
Рассеиваемая мощность
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH8030LPDWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current20 A
Pulsed drain current113.5 A
Рассеиваемая мощность3.1 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance45 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 20A; Idm: 113.5A; 3.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.