DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH8012LPSW-13

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Power dissipation: 3.2 W
Корпус: PowerDI5060-8
On-state resistance: 17 mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMTH8012LPSW-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Power dissipation	3.2 W
Корпус	PowerDI5060-8
On-state resistance	17 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15nC

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.2W; PowerDI5060-8

Документация

Документы пока не предоставлены.