DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 35 A
Pulsed drain current: 80 A
Power dissipation: 2.6 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMTH8012LK3Q-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	35 A
Pulsed drain current	80 A
Power dissipation	2.6 W
Корпус	TO252
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	21 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	34nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 35A; Idm: 80A; 2.6W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.