Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH8008LFGQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
280 A
Power dissipation
2.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH8008LFGQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current12 A
Pulsed drain current280 A
Power dissipation2.8 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37.7nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; Idm: 280A; 2.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.