Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH8001STLWQ-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
270A
Pulsed drain current
1.08kA
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMTH8001STLWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current270A
Pulsed drain current1.08kA
Power dissipation250W
КорпусPowerDI1012-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge138nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.