Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH69M8LFVWQ-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
11.2 A
Pulsed drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
3.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH69M8LFVWQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current11.2 A
Pulsed drain current180 A
Рассеиваемая мощность3.6 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance13.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.5nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.2A; Idm: 180A; 3.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.