Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH63M6LPSWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
105 A
Рассеиваемая мощность
3.3 W
Корпус
PowerDI5060-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH63M6LPSWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current105 A
Рассеиваемая мощность3.3 W
КорпусPowerDI5060-8
On-state resistance4.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 105A; 3.3W; PowerDI5060-8

Документация

Документы пока не предоставлены.