DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH63M5LFGQ-13

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 90.3 A
Power dissipation: 3.4 W
Корпус: PowerDI3333-8

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMTH63M5LFGQ-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	90.3 A
Power dissipation	3.4 W
Корпус	PowerDI3333-8
On-state resistance	4 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	41.2nC
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90.3A; 3.4W; PowerDI3333-8

Документация

Документы пока не предоставлены.