Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH61M8LPSQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
160 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH61M8LPSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current160 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation3.2 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge115.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; Idm: 900A; 3.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.