Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH61M5SPSW-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Рассеиваемая мощность
3.2 W
Корпус
PowerDI5060-8
On-state resistance
1.5 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH61M5SPSW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Рассеиваемая мощность3.2 W
КорпусPowerDI5060-8
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130.6nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2W; PowerDI5060-8

Документация

Документы пока не предоставлены.