Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6016LSDQ-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
7.5A
Pulsed drain current
145A
Power dissipation
3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMTH6016LSDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current7.5A
Pulsed drain current145A
Power dissipation3W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance24mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; Idm: 145A; 3W

Документация

Документы пока не предоставлены.