Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6016LPSQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
37.1 A
Pulsed drain current
145 A
Рассеиваемая мощность
37.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH6016LPSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current37.1 A
Pulsed drain current145 A
Рассеиваемая мощность37.5 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.1A; Idm: 145A; 37.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.