Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6016LFVWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
29 A
Pulsed drain current
160 A
Power dissipation
2.38 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH6016LFVWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current29 A
Pulsed drain current160 A
Power dissipation2.38 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance27 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 160A; 2.38W

Документация

Документы пока не предоставлены.