Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6010SPS-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
10.4 A
Pulsed drain current
400 A
Рассеиваемая мощность
2.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH6010SPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current10.4 A
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность2.6 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.4A; Idm: 400A; 2.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.