Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6009LPSQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
8.3 A
Pulsed drain current
350 A
Power dissipation
2.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH6009LPSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current8.3 A
Pulsed drain current350 A
Power dissipation2.8 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 350A; 2.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.