Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6009LPS-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
8.3A
Pulsed drain current
350A
Power dissipation
2.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMTH6009LPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current8.3A
Pulsed drain current350A
Power dissipation2.8W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±16V
On-state resistance12mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 350A; 2.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.