Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
11.9 A
Pulsed drain current
90 A
Power dissipation
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMTH6009LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current11.9 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation3.2 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance12.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 90A; 3.2W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.