Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6005LPSQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
17.2 A
Pulsed drain current
160 A
Рассеиваемая мощность
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH6005LPSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current17.2 A
Pulsed drain current160 A
Рассеиваемая мощность3.2 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.2A; Idm: 160A; 3.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.