Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Power dissipation
3.9 W
Корпус
TO252

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 558 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%410,52 ₽

Сумма · с НДС 22%410,52 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1410,52 ₽
от 10231,04 ₽
от 25208,13 ₽
от 50189,03 ₽
от 100177,58 ₽
от 500168,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMTH6004SK3Q-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Power dissipation3.9 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252

Документация

Документ производителя