DIODES INCORPORATED
Транзистор DMTH6004SK3Q-13
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 100 A
- Power dissipation
- 3.9 W
- Корпус
- TO252
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 558 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%410,52 ₽
Сумма · с НДС 22%410,52 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 410,52 ₽ | |
| от 10 | 231,04 ₽ | |
| от 25 | 208,13 ₽ | |
| от 50 | 189,03 ₽ | |
| от 100 | 177,58 ₽ | |
| от 500 | 168,03 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMTH6004SK3Q-13 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 100 A |
| Power dissipation | 3.9 W |
| Корпус | TO252 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 3.8 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 13 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.