DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 75 A
Pulsed drain current: 150 A
Рассеиваемая мощность: 3.9 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMTH6004SK3-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	75 A
Pulsed drain current	150 A
Рассеиваемая мощность	3.9 W
Корпус	TO252
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	3.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	95.4nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 150A; 3.9W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.