Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH4M70SPGWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
460 A
Рассеиваемая мощность
5.6 W
Корпус
PowerDI8080-5
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH4M70SPGWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current460 A
Рассеиваемая мощность5.6 W
КорпусPowerDI8080-5
On-state resistance0.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge117.1nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 460A; 5.6W; PowerDI8080-5

Документация

Документы пока не предоставлены.