Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH45M5LPDWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
55 A
Pulsed drain current
316 A
Рассеиваемая мощность
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH45M5LPDWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current55 A
Pulsed drain current316 A
Рассеиваемая мощность3 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.9nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 55A; Idm: 316A; 3W

Документация

Документы пока не предоставлены.