Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH43M8LFGQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
16.9 A
Pulsed drain current
400 A
Power dissipation
2.62 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH43M8LFGQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current16.9 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation2.62 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16.9A; Idm: 400A; 2.62W

Документация

Документы пока не предоставлены.