Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH4014LDVWQ-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
7.2 A
Pulsed drain current
110 A
Power dissipation
2.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMTH4014LDVWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current7.2 A
Pulsed drain current110 A
Power dissipation2.6 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.2nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 110A; 2.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.