Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH4008LPSQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
10.2 A
Pulsed drain current
110 A
Рассеиваемая мощность
2.99 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH4008LPSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current10.2 A
Pulsed drain current110 A
Рассеиваемая мощность2.99 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.3nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.2A; Idm: 110A; 2.99W

Документация

Документы пока не предоставлены.