DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH4008LFDFWQ-13

U-DFN2020-6Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 8.2 A
Pulsed drain current: 80 A
Power dissipation: 2.35 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMTH4008LFDFWQ-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	8.2 A
Pulsed drain current	80 A
Power dissipation	2.35 W
Корпус	U-DFN2020-6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	18 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	14.2nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W

Документация

Документы пока не предоставлены.