Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH4004LK3Q-13

DMTH4004LK3Q-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
200 A
Power dissipation
3.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH4004LK3Q-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation3.9 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge83nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 3.9W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.