Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH4002SCTBQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Рассеиваемая мощность
6 W
Корпус
TO263AB
On-state resistance
3 mΩ

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяDMTH4002SCTBQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Рассеиваемая мощность6 W
КорпусTO263AB
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge77.5nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 6W; TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.