Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH32M5LPSQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
350 A
Power dissipation
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH32M5LPSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current120 A
Pulsed drain current350 A
Power dissipation3.2 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance3.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.