DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH12H007SK3-13

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120 V
Power dissipation: 75 W
Корпус: TO252/DPAK
On-state resistance: 8.9 mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMTH12H007SK3-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	120 V
Power dissipation	75 W
Корпус	TO252/DPAK
On-state resistance	8.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	44nC

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75W; TO252/DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.