Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H4M6SPSWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Рассеиваемая мощность
4.7 W
Корпус
PowerDI5060-8
On-state resistance
4.9 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H4M6SPSWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Рассеиваемая мощность4.7 W
КорпусPowerDI5060-8
On-state resistance4.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7W; PowerDI5060-8

Документация

Документы пока не предоставлены.