Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H1M7STLWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
176 A
Pulsed drain current
1kA
Рассеиваемая мощность
6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H1M7STLWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current176 A
Pulsed drain current1kA
Рассеиваемая мощность6 W
КорпусPowerDI1012-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge147nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 176A; Idm: 1000A; 6W

Документация

Документы пока не предоставлены.