DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H1M7STLW-13

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 6W
Корпус: PowerDI1012-8
On-state resistance: 1.85mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMTH10H1M7STLW-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100V
Power dissipation	6W
Корпус	PowerDI1012-8
On-state resistance	1.85mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	147nC

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6W; PowerDI1012-8

Документация

Документы пока не предоставлены.