Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H032SPSWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
17 A
Pulsed drain current
100 A
Power dissipation
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H032SPSWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current17 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation3.2 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 100A; 3.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.