Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H025SK3-13

DMTH10H025SK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
32.7 A
Pulsed drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
3.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H025SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current32.7 A
Pulsed drain current180 A
Рассеиваемая мощность3.7 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32.7A; Idm: 180A; 3.7W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.