Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H025LPSQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
6.6 A
Pulsed drain current
90 A
Рассеиваемая мощность
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H025LPSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current6.6 A
Pulsed drain current90 A
Рассеиваемая мощность3.2 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; Idm: 90A; 3.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.