Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
36.6A
Pulsed drain current
200A
Power dissipation
3.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H025LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current36.6A
Pulsed drain current200A
Power dissipation3.1W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance43.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.6A; Idm: 200A; 3.1W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.