Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H015SK3-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Power dissipation
3.7 W
Корпус
TO252/DPAK
On-state resistance
14 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H015SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Power dissipation3.7 W
КорпусTO252/DPAK
On-state resistance14 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30.1nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7W; TO252/DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.