DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H015LPS-13

PowerDI5060-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 8 A
Pulsed drain current: 120 A
Power dissipation: 2.8 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMTH10H015LPS-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	8 A
Pulsed drain current	120 A
Power dissipation	2.8 W
Корпус	PowerDI5060-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	25 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	33.3nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 120A; 2.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.