Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H010SPS-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
8.3 A
Pulsed drain current
250 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H010SPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current8.3 A
Pulsed drain current250 A
Power dissipation1.5 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 250A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.