Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H010LCTB-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
71 A
Pulsed drain current
400 A
Рассеиваемая мощность
3.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H010LCTB-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current71 A
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность3.9 W
КорпусTO263AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53.7nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; Idm: 400A; 3.9W; TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.