Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H009LFG-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Power dissipation
2.5 W
Корпус
PowerDI3333-8
On-state resistance
8.5 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H009LFG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Power dissipation2.5 W
КорпусPowerDI3333-8
On-state resistance8.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.5W; PowerDI3333-8

Документация

Документы пока не предоставлены.