Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMTH10H003SPSW-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
117 A
Pulsed drain current
664 A
Power dissipation
2.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMTH10H003SPSW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current117 A
Pulsed drain current664 A
Power dissipation2.6 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge85nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.